厦门杀出260亿超级独角兽：全球第一

铅笔道作者 | 爱羽

最近，厦门杀出一个超级独角兽：瀚天天成，向港交所发起IPO冲刺。

它的核心产品之一是：碳化硅半导体外延晶片，这是一种制造电子器件的高性能材料。

瀚天天成成立于2011年，是全球首家实现8英寸碳化硅外延片大规模外供的企业，也是中国第一家实现3英寸至8英寸外延片商业化量产的企业。

这是一家标准的超级独角兽。2024年12月Pre-IPO轮融资后，公司估值约260亿元。

2023年，中国外延片市场规模约88亿元，预计2025年达到200亿元。

本文将详细拆解：这家超级独角兽背后，藏着一个怎样的隐秘赛道。

01 产业链上下游

瀚天天成收入占比最高的产品是6英寸碳化硅外延晶片，2024年占公司总收入的86.2%。这是一种用于半导体行业的高性能材料，主要用于制造高压、高频、高温及高功率电子器件。

2022年至2024年，公司营收分别为4.41亿元、11.43亿元和9.74亿元，其中2024年受行业价格战影响同比下滑14.8%，但净利润逆势增长至1.66亿元，主要依赖政府补助支撑（2024年补助占比达67.5%）。

碳化硅半导体外延芯片产业链可拆解为：上游是原材料与设备。中游是外延片制造与芯片加工。下游是封装与应用。

1-1 上游：原材料与设备

1-2 中游：外延片制造与芯片加工

1-3 下游：封装与应用​

02 赛道全景

2-1 碳化硅半导体外延晶片是什么？

碳化硅半导体外延晶片（SiC Epitaxial Wafer）是碳化硅（SiC）半导体器件的核心基础材料，由碳化硅单晶衬底和作为基底材料，提供晶体结构和电学性能的基础，在衬底表面通过气相沉积（如MOCVD）生长的薄膜层，厚度通常为几十微米。

2-2分类介绍

2-3 市场规模及增速

碳化硅外延晶片市场由新能源汽车和光伏驱动高速增长，技术迭代聚焦高频、高压器件，未来7年CAGR超25%，中国市场增速领先。

2-4 碳化硅半导体外延晶片的发展阶段

碳化硅外延芯片当前处于高速成长期（爆发期），核心驱动因素为新能源汽车、光伏需求爆发及技术工艺突破。碳化硅外延技术已成熟，专利年增长率低于30%，研发占比下降（头部企业研发费用占比约15-20%）。

同时，碳化硅在新能源汽车、光伏领域已实现规模化商用，客户教育成本显著降低。并且行业标准尚未完全统一（如车规级认证标准仍在完善）。

2-5 碳化硅半导体外延晶片赛道的关键驱动因素

03 上游产业链剖析

3-1上游是什么

3-2上游的主攻任务及难点

3-3与国际的发展水平差异

3-4上游各环节的毛利率水平

3-5地位是否强势

国际强势领域：衬底制造（Wolfspeed垄断8英寸技术）；外延设备（Veeco/Aixtron控制高端市场）；高纯气体（日本昭和电工、美国Entegris垄断9N以上特气）。

国内弱势领域：晶圆加工（超薄切割设备依赖日本DISCO）；技术研发（专利壁垒高，车规级标准缺失）。

局部突破领域：国产设备（中微MOCVD设备毛利提升至28%）；普通材料（光刻胶、SiNx钝化膜国产化率超50%）。

3-6:主要代表玩家

04 中游产业链剖析​

4-1中游是什么

4-2中游的主攻任务及难点

4-3与国际的发展水平差异

4-4中游各环节的毛利率水平

4-5地位是否强势

国际强势环节：外延生长（设备垄断+高毛利）；器件验证（标准与设计经验壁垒）。

国内弱势环节：晶圆制造（光刻机被ASML垄断，国产良率低）；封装材料（DBC基板依赖日本DISCO）。

局部突破领域：烧结银封装（华海诚科国产化，成本优势）；外延设备（中微MOCVD设备市占率提升至20%）。

4-6主要代表玩家

05 下游产业链剖析​

5-1 下游是什么

5-2下游的主攻任务及难点

5-3 与国际的发展水平差异

5-4下游各环节的毛利率水平

5-5地位是否强势

国际强势环节：终端应用（车企采购溢价权）；技术支持（高端测试设备垄断）。

国内弱势环节：封装材料（DBC基板、烧结银键合工艺）；认证体系（车规级AEC-Q101被国际垄断）。

5-6主要代表玩家

06 未来新机会点分析

碳化硅（SiC）半导体外延晶片的新机会点聚焦于技术突破、场景扩展与产业链协同三大方向。

6-1​技术端：以大尺寸衬底（8英寸量产）和高纯度电子特气（9N+）为核心，推动国产MOCVD设备及烧结银封装工艺落地，目标客户为国际衬底代工厂（如Wolfspeed）、光伏逆变器厂商（阳光电源）及新能源汽车主驱逆变器企业（比亚迪）。

6-2应用端：围绕800V高压平台（适配特斯拉/蔚来车型）、1500V光伏逆变器及液冷服务器电源，开发车规级SiC MOSFET模块与高频低损耗驱动器件，绑定新势力车企（理想/小鹏）、电网设备商（国家电网）及工业自动化龙头（汇川技术）。

6-3产业链协同端:加速车规认证本土化（参考AEC-Q101）及国产设备替代（中微MOCVD设备市占率目标30%），服务国产车企（吉利/长城）及第三方检测机构（中汽研）。核心驱动力包括技术降本（8英寸衬底成本较6英寸降30%）、碳中和政策（光伏装机年增20%）及供应链安全（国产替代率目标2025年>40%），形成“技术迭代-场景渗透-国产自主”闭环。

本文数据来源，特此感谢：

• ​Yole Développement：碳化硅衬底/外延设备市场规模、技术趋势分析

• ​IHS Markit：车规级SiC器件市场份额、车企供应链数据

• ​SEMI：半导体设备市场统计（如MOCVD设备市占率）

• ​彭博新能源财经（BNEF）​​：光伏逆变器SiC渗透率、碳中和政策影响

• ​赛迪顾问

• ​IEEE Xplore、Elsevier：SiC外延层缺陷密度（≤0.1 cm⁻²）、沟槽栅工艺优化论文

• ​中国“十四五”半导体产业规划：第三代半导体（SiC）国产化目标

• ​TrendForce：光伏逆变器SiC模块价格趋势、市场份额。

• ​集邦咨询：新能源汽车SiC主驱逆变器竞争格局。

• ​《Applied Physics Letters》：SiC高温外延生长机理研究。

• ​《IEEE Electron Device Letters》：SiC MOSFET沟槽栅结构优化方案。